ON Semiconductor FDS8958B
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FDS8958B
1807-FDS8958B
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8-Pin SOIC N T/R
--最小包装量--
FDS8958B详情
ON Semiconductor FDS8958B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
18 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
187mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.4A 4.5A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
17 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2017
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
26MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
900mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.6W
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
26m Ω @ 6.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
540pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12nC @ 10V
上升时间
6ns
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
下降时间(典型值)
6 ns
连续放电电流(ID)
4.5A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
25V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6.4A
漏源击穿电压
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
高度
1.575mm
长度
4.9mm
宽度
3.9mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDS8958B拓展信息









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