NTLLD4901NFTWG备选型号: IRF7389TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 行间距
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 下降时间(典型值)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NTLLD4901NFTWG Dual MOSFET, Dual N Channel, 9.6 A, 30 V, 0.014 ohm, 4.5 V, 1.2 V
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    11 Weeks
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    YES
    8
    5.5A 6.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    17.4MOhm
    Tin (Sn)
    810mW
    8
    Dual
    3.23W
    800mW 810mW
    2 N-Channel (Dual)
    17.4m Ω @ 9A, 10V
    2.2V @ 250μA
    605pF @ 15V
    12nC @ 10V
    6.3A
    1.2V
    20V
    9.6A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    29mOhm
    -
    2.5W
    -
    -
    2.5W
    -
    N and P-Channel
    29m Ω @ 5.8A, 10V
    1V @ 250μA
    650pF @ 25V
    33nC @ 10V
    7.3A
    1V
    20V
    -
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    Tin
    表面贴装
    SILICON
    HEXFET®
    8
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    DUAL
    鸥翼
    7.3A
    IRF7389PBF
    6.3 mm
    1
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    13ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    32 ns
    30A
    1 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 对比