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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥11.831296
10
¥11.161598
100
¥10.52981
500
¥9.933787
1000
¥9.371493
ON Semiconductor NTLLD4901NFTWG
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- 对比
NTLLD4901NFTWG
1807-NTLLD4901NFTWG
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerWDFN
大陆
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ON SEMICONDUCTOR NTLLD4901NFTWG Dual MOSFET, Dual N Channel, 9.6 A, 30 V, 0.014 ohm, 4.5 V, 1.2 V
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NTLLD4901NFTWG详情
ON Semiconductor NTLLD4901NFTWG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
11 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerWDFN
表面安装
YES
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.5A 6.3A
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电阻
17.4MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
810mW
引脚数量
8
元素配置
Dual
功率耗散
3.23W
功率 - 最大
800mW 810mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
17.4m Ω @ 9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
605pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12nC @ 10V
连续放电电流(ID)
6.3A
阈值电压
1.2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9.6A
漏源击穿电压
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NTLLD4901NFTWG拓展信息








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