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首页 全部分类 NTLLD4951NFTWG vs DMN3025LFG-13

NTLLD4951NFTWG备选型号: DMN3025LFG-13

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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTLLD4951NFTWG
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    5.5A 6.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    810mW
    增强型MOSFET
    800mW 810mW
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    17.4m Ω @ 9A, 10V
    2.2V @ 250μA
    605pF @ 15V
    12nC @ 10V
    30V
    6.3A
    13A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN3025LFG-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 7.5A POWERDI
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    7.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    18m Ω @ 7.8A, 10V
    2V @ 250μA
    605pF @ 15V
    11.6nC @ 10V
    30V
    7.5A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    8
    SILICON
    yes
    5
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    260
    40
    AEC-Q101
    S-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    DRAIN
    3.8 ns
    SWITCHING
    4.1ns
    ±20V
    4.7 ns
    20V
    60A
    30V
    无
    无SVHC
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