ON Semiconductor NTLLD4951NFTWG

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.5A 6.3A

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

810mW

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

800mW 810mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Rds On(Max)@Id,Vgs

17.4m Ω @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

605pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

连续放电电流(ID)

6.3A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

13A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant