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首页 全部分类 NTLUD3A260PZTAG vs MCH6662-TL-H

NTLUD3A260PZTAG备选型号: MCH6662-TL-H

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  • ECCN 代码
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  • 引脚数量
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 漏源击穿电压
  • ON Semiconductor
    NTLUD3A260PZTAG
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors POWER MOSFET 20V 2A 200 M
    ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    6-UFDFN Exposed Pad
    YES
    6
    SILICON
    1.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    500mW
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    800mW
    DRAIN
    17.4 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    200m Ω @ 2A, 4.5V
    1V @ 250μA
    300pF @ 10V
    4.2nC @ 4.5V
    32.3ns
    20V
    74 ns
    1.7A
    8V
    1.3A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    500μm
    1.6mm
    1.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MCH6662-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 2A MCPH6
    -
    -
    -
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    YES
    6
    -
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e6
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    800mW
    6
    Dual
    -
    800mW
    -
    5.1 ns
    2 N-Channel (Dual)
    -
    160m Ω @ 1A, 4.5V
    -
    128pF @ 10V
    1.8nC @ 4.5V
    11ns
    20V
    12 ns
    2A
    10V
    2A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    850μm
    2mm
    1.6mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    20V
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