ON Semiconductor MCH6662-TL-H
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MCH6662-TL-H
1807-MCH6662-TL-H
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-SMD, Flat Leads
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MOSFET 2N-CH 20V 2A MCPH6
--最小包装量--
MCH6662-TL-H详情
ON Semiconductor MCH6662-TL-H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, Flat Leads
表面安装
YES
引脚数
6
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
14.5 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最大功率耗散
800mW
引脚数量
6
元素配置
Dual
功率耗散
800mW
接通延迟时间
5.1 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
160m Ω @ 1A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
128pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.8nC @ 4.5V
上升时间
11ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
2A
栅极至源极电压(Vgs)
10V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2A
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
高度
850μm
长度
2mm
宽度
1.6mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MCH6662-TL-H拓展信息








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