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首页 全部分类 NTLUD3A260PZTBG vs FDG326P

NTLUD3A260PZTBG备选型号: FDG326P

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 供应商器件包装
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  • 额定电流
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  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    NTLUD3A260PZTBG
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors POWER MOSFET 20V 2A 200 M
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    6-UFDFN Exposed Pad
    YES
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    500mW
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    800mW
    DRAIN
    17.4 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    200m Ω @ 2A, 4.5V
    1V @ 250μA
    300pF @ 10V
    4.2nC @ 4.5V
    32.3ns
    20V
    74 ns
    1.3A
    8V
    1.7A
    0.2Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDG326P
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
    -
    -
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    6
    -
    1.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2001
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    750mW
    -
    -
    P-Channel
    -
    140mOhm @ 1.5A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    467pF @ 10V
    7nC @ 4.5V
    13ns
    20V
    13 ns
    1.5A
    8V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    表面贴装
    SC-88 (SC-70-6)
    PowerTrench®
    150°C
    -55°C
    -20V
    -1.5A
    ±8V
    -20V
    467pF
    140mOhm
    140 mΩ
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