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首页 全部分类 NTLUS3A18PZTBG vs ECH8668-TL-H

NTLUS3A18PZTBG备选型号: ECH8668-TL-H

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 辐射硬化
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  • 最大功率耗散
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    NTLUS3A18PZTBG
    ON Semiconductor
    Single P-Channel Power MOSFET with ESD Protection -20V -8.2A 18mO
    ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
    11 Weeks
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    YES
    6
    SILICON
    5.1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    µCool™
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    超低电阻
    DUAL
    6
    Single
    增强型MOSFET
    1.7W
    DRAIN
    8.6 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    18m Ω @ 7A, 4.5V
    1V @ 250μA
    2240pF @ 15V
    28nC @ 4.5V
    15ns
    20V
    ±8V
    88 ns
    5.1A
    8V
    8.2A
    0.018Ohm
    -20V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ECH8668-TL-H
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N/P-CH 20V 7.5A/5A 8-Pin ECH T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    YES
    8
    SILICON
    7.5A 5A
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2009
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    -
    -
    8
    Dual
    增强型MOSFET
    1.5W
    -
    17.5 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    17m Ω @ 4A, 4.5V
    -
    1060pF @ 10V
    10.8nC @ 4.5V
    -
    20V
    -
    -
    5A
    10V
    -
    0.017Ohm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1.5W
    无卤素
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    40A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    900μm
    2.9mm
    2.3mm
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