ON Semiconductor ECH8668-TL-H

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.5A 5A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

68 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最大功率耗散

1.5W

引脚数量

8

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.5W

接通延迟时间

17.5 ns

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

17m Ω @ 4A, 4.5V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1060pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.8nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

5A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

漏极-源极导通最大电阻

0.017Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

900μm

长度

2.9mm

宽度

2.3mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅