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NTLUS4930NTAG备选型号: FDC655BN
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 底架
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- 终止次数
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 通道数量
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin UDFN EP T/RLIFETIME (Last Updated: 1 day ago)4 Weeks表面贴装6-UDFN Exposed PadYES63.8A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)6Single1.65WN-Channel28.5m Ω @ 6.1A, 10V2.2V @ 250μA无卤素476pF @ 15V8.7nC @ 10V30V±20V6.1A20V无ROHS3 Compliant无铅------------------------------
MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)13 Weeks表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6-66.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99--Single1.6WN-Channel25m Ω @ 6.3A, 10V3V @ 250μA-570pF @ 15V15nC @ 10V-±20V6.3A20V-ROHS3 Compliant无铅Tin表面贴装36mgSILICONPowerTrench®625MOhmULTRA-LOW RESISTANCE30VDUAL鸥翼未说明6.3A未说明不合格1增强型MOSFET6 nsSWITCHING4ns4 ns1.9V30V150°C1.9 V90 pF1.1mm3mm1.7mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC655BN | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6 | 对比 |
 | FDN537N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET | 对比 |
 | DMC3028LSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO | 对比 |
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