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首页 全部分类 NTMD6601NR2G vs FW389-TL-2W

NTMD6601NR2G备选型号: FW389-TL-2W

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  • 安装类型
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  • 晶体管元件材料
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 通道数量
  • 极性/通道类型
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTMD6601NR2G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET S08D 80V 1.4A 245mOHM
    OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    600mW
    鸥翼
    未说明
    未说明
    8
    不合格
    Dual
    增强型MOSFET
    1W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    215m Ω @ 2.2A, 10V
    3V @ 250μA
    400pF @ 25V
    15nC @ 10V
    80V
    1.1A
    15V
    80V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    30 pF
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FW389-TL-2W
    ON Semiconductor
    MOSFET Pwr MOSFET 100V 2A 225mOhm
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    -
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    1.8W
    -
    -
    -
    8
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N and P-Channel
    -
    225m Ω @ 2A, 10V
    -
    490pF @ 10V
    10nC @ 10V
    100V
    2A
    -
    100V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 4V Drive
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    11 Weeks
    2
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    2A
    无
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