FW389-TL-2W
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ON Semiconductor FW389-TL-2W

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型号

FW389-TL-2W

utmel 编号

1807-FW389-TL-2W

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET Pwr MOSFET 100V 2A 225mOhm

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FW389-TL-2W
FW389-TL-2W ON Semiconductor MOSFET Pwr MOSFET 100V 2A 225mOhm

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FW389-TL-2W详情

ON Semiconductor FW389-TL-2W重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

  • 工厂交货时间

    11 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    1.8W

  • 引脚数量

    8

  • 通道数量

    2

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 场效应管类型

    N and P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    225m Ω @ 2A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    490pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    10nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    100V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL AND P-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    2A

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    2A

  • 漏源击穿电压

    100V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate, 4V Drive

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & FW389-TL-2W相似的参数规格。

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FW389-TL-2W拓展信息

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