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首页 全部分类 NTMD6N02R2 vs FDS9933

NTMD6N02R2备选型号: FDS9933

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  • 晶体管元件材料
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 质量
  • 系列
  • 漏源电压 (Vdss)
  • ON Semiconductor
    NTMD6N02R2
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
    OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    YES
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e0
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    逻辑电平兼容
    20V
    730mW
    鸥翼
    240
    not_compliant
    6A
    30
    NTMD6N02
    8
    不合格
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    35m Ω @ 6A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1100pF @ 16V
    20nC @ 4.5V
    35ns
    80 ns
    3.92A
    12V
    0.035Ohm
    20V
    30A
    360 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS9933
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC
    -
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    8
    -
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -20V
    900mW
    -
    -
    -
    -5A
    -
    -
    -
    -
    Dual
    -
    2W
    2 P-Channel (Dual)
    -
    55m Ω @ 3.2A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    825pF @ 10V
    20nC @ 4.5V
    46ns
    25 ns
    5A
    12V
    -
    -20V
    -
    -
    -
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    表面贴装
    187mg
    PowerTrench®
    20V
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