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首页 全部分类 NTMD6N02R2 vs NTMD2C02R2SG

NTMD6N02R2备选型号: NTMD2C02R2SG

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
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  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 极性/通道类型
  • ON Semiconductor
    NTMD6N02R2
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
    OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    YES
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e0
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    逻辑电平兼容
    20V
    730mW
    鸥翼
    240
    not_compliant
    6A
    30
    NTMD6N02
    8
    不合格
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    35m Ω @ 6A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1100pF @ 16V
    20nC @ 4.5V
    35ns
    80 ns
    3.92A
    12V
    0.035Ohm
    20V
    30A
    360 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMD2C02R2SG
    ON Semiconductor
    MOSFET COMP20V 2A .043R TR
    -
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    -
    SILICON
    5.2A 3.4A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    20V
    2W
    鸥翼
    260
    -
    5.2A
    40
    -
    8
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    2W
    N and P-Channel
    SWITCHING
    43m Ω @ 4A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1100pF @ 10V
    20nC @ 4.5V
    40ns
    35 ns
    3.4A
    12V
    0.043Ohm
    20V
    48A
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    表面贴装
    DUAL
    R-PDSO-G8
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
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