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首页 全部分类 NTMD6P02R2G vs IRF7331TRPBF

NTMD6P02R2G备选型号: IRF7331TRPBF

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  • 功率耗散
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 系列
  • 接通延迟时间
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    NTMD6P02R2G
    ON Semiconductor
    MOSFET 20V 6A P-Channel
    29 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    Tin
    YES
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    8
    SILICON
    4.8A
    2007
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    33mOhm
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    -20V
    750mW
    鸥翼
    260
    -6A
    40
    NTMD6P02
    8
    1
    6A
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    33m Ω @ 6.2A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1700pF @ 16V
    35nC @ 4.5V
    20ns
    20V
    50 ns
    7.8A
    -880mV
    12V
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    450 pF
    4mm
    5mm
    1.5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7331TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
    12 Weeks
    -
    -
    -
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    8
    SILICON
    2
    2008
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    -
    30MOhm
    -
    20V
    2W
    鸥翼
    -
    7A
    -
    IRF7331PBF
    -
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    30m Ω @ 7A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1340pF @ 16V
    20nC @ 4.5V
    22ns
    -
    50 ns
    7A
    1.2V
    12V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    3.9878mm
    4.9784mm
    1.4986mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    表面贴装
    HEXFET®
    7.6 ns
    7A
    20V
    1.2 V
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