ON Semiconductor NTMD6P02R2G

工厂交货时间

29 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

触点镀层

Tin

表面安装

YES

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.8A

Turn Off Delay Time

85 ns

Number of Elements

2

已出版

2007

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

33mOhm

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

电压 - 额定直流

-20V

最大功率耗散

750mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

NTMD6P02

引脚数量

8

输出的数量

1

最大输出电流

6A

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

33m Ω @ 6.2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1700pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 4.5V

上升时间

20ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

50 ns

连续放电电流(ID)

7.8A

阈值电压

-880mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

-20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

反馈上限-最大值 (Crss)

450 pF

宽度

4mm

长度

5mm

高度

1.5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅