NTMFD4902NFT1G备选型号: NTMFS4851NT1G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 端子位置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 漏源击穿电压
- MOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MOACTIVE (Last Updated: 1 day ago)17 WeeksTin表面贴装8-PowerTDFNYES8SILICON10.3A 13.3A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR991.16WFLAT8Dual增强型MOSFET排水源头1.1W 1.16W2 N-Channel (Dual), SchottkySWITCHING6.5m Ω @ 10A, 10V2.2V @ 250μA1150pF @ 15V9.7nC @ 4.5V30V13.3A20V13.5A0.01Ohm60A30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant无铅--------
- MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FLLIFETIME (Last Updated: 1 week ago)34 Weeks-表面贴装8-PowerTDFN, 5 LeadsYES5SILICON9.5A Ta 66A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2009e3yesObsolete1 (Unlimited)5EAR99-FLAT5Single增强型MOSFETDRAIN-N-ChannelSWITCHING5.9m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 250μA1850pF @ 12V20nC @ 4.5V-15A16V100A0.0087Ohm----无符合RoHS标准无铅Tin (Sn)DUAL2.16W14.4 ns39.8ns±16V5.2 ns30V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFD4C20NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerTDFN | MOSFET NFET SO8FL 30V 27A 3.4MOH | 对比 | |
![]() | DMG4468LFG-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerUDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 7.62A 8-Pin DFN EP T/R | 对比 |
| NTMFS4851NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL | 对比 |



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