ON Semiconductor NTMFD4C20NT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

24 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

YES

引脚数

8

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.1A 13.7A

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1.15W

引脚数量

8

元素配置

Dual

功率 - 最大

1.09W 1.15W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.3m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 250μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

970pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.3nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

连续放电电流(ID)

13.7A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

27.4A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅