NTMFD4902NFT3G备选型号: ZXMC3AMCTA
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 无铅代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- MOSFET 2N-CH 30V 8DFN7 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON10.3A 13.3A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3活跃1 (Unlimited)8EAR991.16WFLAT10SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET排水源头1.1W 1.16W2 N-Channel (Dual), SchottkySWITCHING6.5m Ω @ 10A, 10V2.2V @ 250μA1150pF @ 15V9.7nC @ 4.5V30V13.3A20V13.5A0.01Ohm60A30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant无铅-----------------
- Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R17 Weeks-表面贴装表面贴装8-WDFN Exposed Pad8SILICON2.9A 2.1A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2010e4活跃1 (Unlimited)8EAR991.7W-8-增强型MOSFETDRAIN-N and P-ChannelSWITCHING120m Ω @ 2.5A, 10V3V @ 250μA190pF @ 25V3.9nC @ 10V30V2.1A20V3.7A-13A-METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant无铅yes210mOhmNickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)HIGH RELIABILITYDUAL260402.45W1.5 ns2.8nsN-CHANNEL AND P-CHANNEL7.5 ns-30V780μm3.08mm2.075mm无SVHC
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMG4468LFG-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerUDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 7.62A 8-Pin DFN EP T/R | 对比 |
![]() | ZXMC3AMCTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-WDFN Exposed Pad | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R | 对比 |
![]() | DMP32D4SFB-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-UFDFN | MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323 | 对比 |





哦! 它是空的。