NTMFD4902NFT3G备选型号: ZXMC3AMCTA

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 下降时间(典型值)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
    7 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    10.3A 13.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    1.16W
    FLAT
    10
    SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    排水源头
    1.1W 1.16W
    2 N-Channel (Dual), Schottky
    SWITCHING
    6.5m Ω @ 10A, 10V
    2.2V @ 250μA
    1150pF @ 15V
    9.7nC @ 4.5V
    30V
    13.3A
    20V
    13.5A
    0.01Ohm
    60A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
    17 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-WDFN Exposed Pad
    8
    SILICON
    2.9A 2.1A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    1.7W
    -
    8
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    N and P-Channel
    SWITCHING
    120m Ω @ 2.5A, 10V
    3V @ 250μA
    190pF @ 25V
    3.9nC @ 10V
    30V
    2.1A
    20V
    3.7A
    -
    13A
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    yes
    210mOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    260
    40
    2.45W
    1.5 ns
    2.8ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    7.5 ns
    -30V
    780μm
    3.08mm
    2.075mm
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMG4468LFG-7 DMG4468LFG-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 8-PowerUDFN Trans MOSFET N-CH 30V 7.62A 8-Pin DFN EP T/R 对比
ZXMC3AMCTA ZXMC3AMCTA Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 8-WDFN Exposed Pad Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R 对比
DMP32D4SFB-7B DMP32D4SFB-7B Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 3-UFDFN MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323 对比