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首页 全部分类 NTMFD4C20NT1G vs NTMFS4851NT1G

NTMFD4C20NT1G备选型号: NTMFS4851NT1G

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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 晶体管应用
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  • 漏源击穿电压
  • ON Semiconductor
    NTMFD4C20NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET SO8FL 30V 27A 3.4MOH
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    24 Weeks
    Tin
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    YES
    8
    9.1A 13.7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1.15W
    8
    Dual
    1.09W 1.15W
    2 N-Channel (Dual)
    7.3m Ω @ 10A, 10V
    2.1V @ 250μA
    无卤素
    970pF @ 15V
    9.3nC @ 4.5V
    30V
    13.7A
    20V
    27.4A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS4851NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL
    LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
    34 Weeks
    -
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    YES
    5
    9.5A Ta 66A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    5
    Single
    -
    N-Channel
    5.9m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    -
    1850pF @ 12V
    20nC @ 4.5V
    -
    15A
    16V
    100A
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    SILICON
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    增强型MOSFET
    2.16W
    DRAIN
    14.4 ns
    SWITCHING
    39.8ns
    ±16V
    5.2 ns
    0.0087Ohm
    30V
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