NTMFD4C86NT1G备选型号: NTMFD4902NFT3G
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 终端形式
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 辐射硬化
- MOSFET NFET SO8FL 30V 32A 2.1MOH24 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN811.3A 18.1A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015yesObsolete1 (Unlimited)1.1W2 N-Channel (Dual) Asymmetrical5.4m Ω @ 30A, 10V2.2V @ 250μA1153pF @ 15V22.2nC @ 10V30V18.1AStandard符合RoHS标准无铅-------------------
- MOSFET 2N-CH 30V 8DFN7 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN810.3A 13.3A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012-活跃1 (Unlimited)1.16W2 N-Channel (Dual), Schottky6.5m Ω @ 10A, 10V2.2V @ 250μA1150pF @ 15V9.7nC @ 4.5V30V13.3A逻辑电平门ROHS3 Compliant无铅TinSILICONe38EAR99FLAT10SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET排水源头1.1W 1.16WSWITCHING20V13.5A0.01Ohm60A30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN32D2LFB4-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN | 对比 |
![]() | DMG4468LFG-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerUDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 7.62A 8-Pin DFN EP T/R | 对比 |
![]() | DMP32D4SFB-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-UFDFN | MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323 | 对比 |






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