ON Semiconductor NTMFD4C86NT1G
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NTMFD4C86NT1G
1807-NTMFD4C86NT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerTDFN
大陆
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MOSFET NFET SO8FL 30V 32A 2.1MOH
--最小包装量--
NTMFD4C86NT1G详情
ON Semiconductor NTMFD4C86NT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
24 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11.3A 18.1A
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
1.1W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.4m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1153pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22.2nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
连续放电电流(ID)
18.1A
场效应管特性
Standard
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
NTMFD4C86NT1G拓展信息












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