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首页 全部分类 NTMFS4119NT1G vs IRF7831TRPBF

NTMFS4119NT1G备选型号: IRF7831TRPBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 系列
  • 阈值电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTMFS4119NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
    9 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    5
    SILICON
    11A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    2.3MOhm
    Tin (Sn)
    30V
    DUAL
    FLAT
    260
    18A
    40
    5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.3W
    DRAIN
    28 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5m Ω @ 29A, 10V
    2.5V @ 250μA
    4800pF @ 24V
    60nC @ 4.5V
    26ns
    ±20V
    40 ns
    30A
    12V
    30V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7831TRPBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 30 V 3.6 mOhm 40 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    21A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    3.6MOhm
    -
    30V
    DUAL
    鸥翼
    -
    21A
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.6m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 250μA
    6240pF @ 15V
    60nC @ 4.5V
    10ns
    ±12V
    5.3 ns
    21A
    12V
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    HEXFET®
    2.35V
    62 ns
    2.35 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
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