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首页 全部分类 NTMFS4839NHT1G vs NTHD4502NT1

NTMFS4839NHT1G备选型号: NTHD4502NT1

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  • 元素配置
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  • 场效应管类型
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  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 配置
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    NTMFS4839NHT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET S08FL 30V 66A 5.5mOhm
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    8
    SILICON
    9.5A Ta 64A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    260
    40
    8
    R-PDSO-F6
    Single
    增强型MOSFET
    5.7W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    5.5m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2354pF @ 12V
    43.5nC @ 11.5V
    19.6ns
    ±20V
    3.4 ns
    64A
    20V
    15A
    0.0103Ohm
    30V
    192A
    109 mJ
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTHD4502NT1
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e0
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    -
    C 弯管
    240
    30
    8
    -
    -
    增强型MOSFET
    1.13W
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    85m Ω @ 2.9A, 10V
    3V @ 250μA
    140pF @ 15V
    7nC @ 10V
    5.4ns
    -
    5.4 ns
    2.2A
    20V
    2.9A
    -
    -20V
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    30V
    640mW
    not_compliant
    3.9A
    NTHD4502N
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    25 pF
    含铅
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