NTMFS4921NT1G备选型号: DMP3085LSD-13
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 底架
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- 通道数量
- 功率耗散
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 场效应管技术
- 最大结点温度(Tj)
- 场效应管特性
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 30V 8.8A SO8FLACTIVE (Last Updated: 3 days ago)表面贴装8-PowerTDFN, 5 LeadsYES5SILICON8.8A Ta 58.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2010e3yesObsolete1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLAT5Single增强型MOSFETDRAIN13.3 nsN-ChannelSWITCHING6.95m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 250μA1400pF @ 12V25nC @ 11.5V±20V13.8A20V0.0088A0.0108Ohm30V1.1mm5.1mm6.1mm无符合RoHS标准无铅----------------
- MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO-表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)-8SILICON3.9A-55°C~150°C TJDigi-Reel®2013e3-活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)-鸥翼--增强型MOSFET-4.8 ns2 P-Channel (Dual)SWITCHING70m Ω @ 5.3A, 10V3V @ 250μA563pF @ 25V11nC @ 10V--3.9A20V-0.07Ohm-30V1.7mm4.95mm3.95mm无ROHS3 Compliant无铅23 Weeks表面贴装HIGH RELIABILITY1.1W26030AEC-Q10121.1W5ns30V14.6 nsMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150°C逻辑电平门无SVHC
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMG4406LSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO | 对比 |
![]() | DMC3028LSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO | 对比 |
![]() | IRF8707TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | 对比 |




哦! 它是空的。