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首页 全部分类 NTMFS4921NT1G vs IRF8707TRPBF

NTMFS4921NT1G备选型号: IRF8707TRPBF

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  • 通道数量
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTMFS4921NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 8.8A SO8FL
    YES
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    表面贴装
    5
    SILICON
    16.6 ns
    2.5V @ 250μA
    2010
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    13.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.95m Ω @ 30A, 10V
    1400pF @ 12V
    25nC @ 11.5V
    ±20V
    13.8A
    20V
    0.0088A
    0.0108Ohm
    30V
    6.1mm
    5.1mm
    1.1mm
    符合RoHS标准
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8707TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
    -
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    8
    SILICON
    11A Ta
    2.35V @ 25μA
    2007
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    增强型MOSFET
    -
    6.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11.9m Ω @ 11A, 10V
    760pF @ 15V
    9.3nC @ 4.5V
    ±20V
    11A
    20V
    -
    -
    30V
    3.9878mm
    4.9784mm
    1.75mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    12 Weeks
    表面贴装
    HEXFET®
    11.9MOhm
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    2.5W
    7.9ns
    4.4 ns
    1.8V
    53 mJ
    150°C
    1.8 V
    无SVHC
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