您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 NTMFS4923NET3G vs PH3330L,115

NTMFS4923NET3G备选型号: PH3330L,115

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 系列
  • HTS代码
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    NTMFS4923NET3G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFETFL 30V 91A 3.3mOHM
    CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    5
    SILICON
    12.7A Ta 91A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    5
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    930mW
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.3m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 250μA
    4850pF @ 15V
    22nC @ 4.5V
    ±20V
    91A
    20V
    12.7A
    0.0048Ohm
    30V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PH3330L,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
    -
    -
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    -
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    4
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    3.3m Ω @ 25A, 10V
    2.15V @ 1mA
    4840pF @ 12V
    30.5nC @ 4.5V
    ±20V
    -
    -
    100A
    0.0033Ohm
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    TrenchMOS™
    8541.29.00.95
    not_compliant
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    30V
    300A
    30V
    245 mJ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFH5302DTRPBF IRFH5302DTRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN 对比
IRFH7932TRPBF IRFH7932TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56 对比
BSC025N03LSGATMA1 BSC025N03LSGATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP 对比