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首页 全部分类 NTMFS4935NBT1G vs IRFH8318TRPBF

NTMFS4935NBT1G备选型号: IRFH8318TRPBF

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  • 功率耗散
  • 箱体转运
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  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTMFS4935NBT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 13A SO8FL
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    13A Ta 93A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3.2mOhm
    N-Channel
    3.2m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 250μA
    4850pF @ 15V
    49.4nC @ 10V
    30V
    ±20V
    93A
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8318TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    27A Ta 120A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    N-Channel
    3.1m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 50μA
    3180pF @ 10V
    41nC @ 10V
    -
    ±20V
    27A
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    8
    SILICON
    HEXFET®
    5
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    15 ns
    SWITCHING
    33ns
    12 ns
    20V
    50A
    30V
    400A
    1.8 V
    无SVHC
    无
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