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首页 全部分类 NTMFS4935NBT1G vs NTMFS4898NFT1G

NTMFS4935NBT1G备选型号: NTMFS4898NFT1G

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  • 端子表面处理
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    NTMFS4935NBT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 13A SO8FL
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    13A Ta 93A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3.2mOhm
    N-Channel
    3.2m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 250μA
    4850pF @ 15V
    49.4nC @ 10V
    30V
    ±20V
    93A
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS4898NFT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET SO8FL 30V 120A 3MOHM
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    13.2A Ta 117A Tc
    -
    Cut Tape (CT)
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3MOhm
    N-Channel
    3m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 1mA
    3233pF @ 12V
    49.5nC @ 10V
    -
    -
    13.2A
    符合RoHS标准
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
    5
    e3
    yes
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    930mW
    DUAL
    FLAT
    5
    Single
    增强型MOSFET
    73.5W
    DRAIN
    17.6 ns
    SWITCHING
    23ns
    8.3 ns
    20V
    30V
    234A
    228 mJ
    1.1mm
    5.1mm
    6.1mm
    无
    无铅
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