您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 NTMFS4C03NT3G vs BSC0501NSIATMA1

NTMFS4C03NT3G备选型号: BSC0501NSIATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管特性
  • ON Semiconductor
    NTMFS4C03NT3G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 30A SO8FL
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    30A Ta 136A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    Single
    N-Channel
    2.1m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    3071pF @ 15V
    45.2nC @ 10V
    30V
    ±20V
    136A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC0501NSIATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON
    -
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    29A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    未说明
    not_compliant
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    1.9m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 250μA
    2200pF @ 15V
    33nC @ 10V
    -
    ±20V
    100A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    Tin
    SILICON
    OptiMOS™
    5
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    4ns
    20V
    30V
    29A
    0.0024Ohm
    400A
    20 mJ
    Schottky Diode (Body)
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
NVMFS4C03NT1G NVMFS4C03NT1G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO 对比
IRFH8311TRPBF IRFH8311TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-TQFN Exposed Pad MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6 对比
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON 对比