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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.890054
10
¥3.669863
100
¥3.462135
500
¥3.266164
1000
¥3.081287
Infineon Technologies IRFH8311TRPBF
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- 对比
IRFH8311TRPBF
1211-IRFH8311TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-TQFN Exposed Pad
大陆
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MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRFH8311TRPBF详情
Infineon Technologies IRFH8311TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TQFN Exposed Pad
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
32A Ta 169A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3.6W Ta 96W Tc
Turn Off Delay Time
21 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2007
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
配置
Single
功率耗散
3.6W
接通延迟时间
21 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.1m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4960pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
66nC @ 10V
上升时间
26ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
32A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRFH8311TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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