NTMFS4C08NT1G-001备选型号: IRFH7936TRPBF

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
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  • 包装
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 配置
  • 通道数量
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    9A Ta 52A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Single
    1
    N-Channel
    5.8m Ω @ 18A, 10V
    2.1V @ 250μA
    1670pF @ 15V
    18.2nC @ 10V
    30V
    ±20V
    52A
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    20A Ta 54A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Single
    -
    N-Channel
    4.8m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2360pF @ 15V
    26nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    54A
    ROHS3 Compliant
    16 Weeks
    HEXFET®
    EAR99
    增强型MOSFET
    3.1W
    17 ns
    12ns
    7 ns
    20V
    76A
    30V
    1.1684mm
    5.2324mm
    6.1468mm
    无SVHC
    无铅
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