NTMFS4C10NT1G-001备选型号: IRLR8726TRLPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 配置
  • 通道数量
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 供应商器件包装
  • 系列
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    8.2A Ta 46A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    Single
    1
    N-Channel
    6.95m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    987pF @ 15V
    18.6nC @ 10V
    30V
    ±20V
    46A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    86A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    5.8mOhm @ 25A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2150pF @ 15V
    23nC @ 4.5V
    30V
    ±20V
    86A
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    Tin
    D-Pak
    HEXFET®
    175°C
    -55°C
    Single
    75W
    12 ns
    49ns
    16 ns
    12V
    30V
    2.15nF
    5.8mOhm
    5.8 mΩ
    2.26mm
    6.7056mm
    6.22mm
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
NTD4979NT4G NTD4979NT4G ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 30V 9.4A DPAK-3 对比
DMT3006LPS-13 DMT3006LPS-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI 对比
NTMFS4945NT1G NTMFS4945NT1G ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 8-PowerTDFN, 5 Leads MOSFET N-CH 30V 7.4A SO8FL 对比