NTMFS5834NLT1G备选型号: DMN4020LFDE-7
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- 描述:
- 生命周期状态
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 底架
- 通道数量
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- MOSFET N-CH 40V 13A SO-8FLLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)表面贴装8-PowerTDFN, 5 LeadsYES5SILICON14A Ta 75A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2010e3yesObsolete1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLAT5Single增强型MOSFET3WDRAIN10 nsN-Channel9.3m Ω @ 20A, 10V3V @ 250μA1231pF @ 20V24nC @ 10V56.4ns40V±20V6.6 ns14A20V276A40V48 mJ无符合RoHS标准无铅-------
- MOSFET N-CH 40V 6-UDFN-表面贴装6-UDFN Exposed Pad-6-8A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e4-活跃1 (Unlimited)-EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)---Single---5.3 nsN-Channel20m Ω @ 8A, 10V2.4V @ 250μA1060pF @ 20V19.1nC @ 10V7.1ns-±20V4.8 ns8A20V----ROHS3 Compliant-22 Weeks表面贴装140V580μm2.05mm2.05mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NVMFS5834NLWFT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DFN | MOSFET Pwr MOSFET 40V 75A 9.3mOhm SGL N-CH | 对比 | |
![]() | DMN4020LFDE-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 40V 6-UDFN | 对比 |
| NVMFS5834NLWFT3G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Power MOSFET 40V, 75A, 9.3 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level. | 对比 |



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