ON Semiconductor NVMFS5834NLWFT1G

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

38 Weeks

包装/外壳

DFN

表面安装

YES

引脚数

5

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

17.4 ns

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

3.6W

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

引脚数量

5

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10 ns

无卤素

无卤素

上升时间

56.4ns

漏源电压 (Vdss)

40V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

6.6 ns

连续放电电流(ID)

75A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

276A

输入电容

1.231nF

雪崩能量等级（Eas）

48 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

9.3mOhm

最大rds

9.3 mΩ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅