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首页 全部分类 NTMFS5C423NLT3G vs BSC019N04LSATMA1

NTMFS5C423NLT3G备选型号: BSC019N04LSATMA1

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  • 端子表面处理
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 系列
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 无卤素
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    NTMFS5C423NLT3G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V 150A SO8FL
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    4.5V 10V
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    not_compliant
    N-Channel
    2m Ω @ 50A, 10V
    2V @ 250μA
    3100pF @ 20V
    50nC @ 10V
    40V
    ±20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC019N04LSATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON
    -
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    27A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    1.9mOhm @ 50A, 10V
    2V @ 250μA
    2900pF @ 20V
    41nC @ 10V
    40V
    ±20V
    ROHS3 Compliant
    含铅
    PG-TDSON-8-1
    OptiMOS™
    150°C
    -55°C
    无卤素
    4ns
    100A
    20V
    40V
    2.9nF
    1.5mOhm
    1.9 mΩ
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