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首页 全部分类 NTMFS5C430NLT3G vs BSC014N04LSIATMA1

NTMFS5C430NLT3G备选型号: BSC014N04LSIATMA1

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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • ON Semiconductor
    NTMFS5C430NLT3G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    4.5V 10V
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    not_compliant
    N-Channel
    1.5m Ω @ 50A, 10V
    2V @ 250μA
    4300pF @ 20V
    70nC @ 10V
    40V
    ±20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC014N04LSIATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
    -
    39 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    31A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2010
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    not_compliant
    N-Channel
    1.45m Ω @ 50A, 10V
    2V @ 250μA
    4000pF @ 20V
    55nC @ 10V
    -
    ±20V
    ROHS3 Compliant
    含铅
    SILICON
    OptiMOS™
    3
    EAR99
    逻辑电平兼容
    DUAL
    FLAT
    8
    R-PDSO-F3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    16 ns
    SWITCHING
    无卤素
    100A
    2V
    20V
    40V
    0.002Ohm
    40V
    400A
    90 mJ
    150°C
    1.1mm
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