Infineon Technologies BSC014N04LSIATMA1

工厂交货时间

39 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

31A Ta 100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 96W Tc

Turn Off Delay Time

55 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

OptiMOS™

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.45m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4000pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

55nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

100A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

40V

漏极-源极导通最大电阻

0.002Ohm

漏源击穿电压

40V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

雪崩能量等级（Eas）

90 mJ

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

1.1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅