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NTMFS5C612NLT3G备选型号: IRFS7530TRL7PP
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 系列
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 60V 36A SO8FLACTIVE (Last Updated: 3 days ago)16 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON36A Ta 235A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2006e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLAT260not_compliant30R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel1.5m Ω @ 50A, 10V2V @ 250μA6660pF @ 25V91nC @ 10V60V±20V235A0.0015Ohm900A60V451 mJROHS3 Compliant无铅----------------
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK-12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)7SILICON240A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2013--活跃1 (Unlimited)-EAR99---未说明-未说明----N-Channel1.4m Ω @ 100A, 10V3.7V @ 250μA12960pF @ 25V354nC @ 10V-±20V240A----ROHS3 Compliant无铅1.59999gHEXFET®, StrongIRFET™1Single375W24 ns102ns79 ns3.7V20V60V175°C5.084mm10.67mm9.65mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS5C604NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C604NLT1GMOSFET Transistor, N Channel, 38 A, 60 V, 0.00093 ohm, 10 V, 2 V | 对比 |
| NVMFS5C612NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Single N-Channel Power MOSFET 60V, 235A, 1.5mO 1500 / Tape & Reel | 对比 |
 | FDMT80060DC | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 60V | 对比 |
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