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首页 全部分类 NTMS3P03R2 vs NTMS4800NR2G

NTMS3P03R2备选型号: NTMS4800NR2G

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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTMS3P03R2
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
    OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2.34A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e0
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    雪崩 额定
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    240
    not_compliant
    -3.05A
    30
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2W
    P-Channel
    SWITCHING
    85m Ω @ 3.05A, 10V
    2.5V @ 250μA
    750pF @ 24V
    25nC @ 10V
    16ns
    30V
    ±20V
    45 ns
    2.34A
    20V
    -30V
    135 pF
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMS4800NR2G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
    OBSOLETE (Last Updated: 19 hours ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    4.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    8
    -
    -
    增强型MOSFET
    2W
    N-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 7.5A, 10V
    3V @ 250μA
    940pF @ 25V
    7.7nC @ 4.5V
    4ns
    -
    ±20V
    6.5 ns
    6.4A
    20V
    30V
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    Tin (Sn)
    Single
    DRAIN
    9.4 ns
    8A
    0.02Ohm
    无
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