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首页 全部分类 NTMS3P03R2G vs IRF9952TRPBF

NTMS3P03R2G备选型号: IRF9952TRPBF

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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
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  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
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  • 无铅
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  • 电阻
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 极性/通道类型
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTMS3P03R2G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
    OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2.34A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    260
    unknown
    -3.05A
    40
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2W
    P-Channel
    SWITCHING
    85m Ω @ 3.05A, 10V
    2.5V @ 250μA
    750pF @ 24V
    25nC @ 10V
    16ns
    30V
    ±20V
    45 ns
    3.05A
    20V
    2.34A
    -30V
    -1.7 V
    135 pF
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9952TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    3.5A 2.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    HIGH RELIABILITY
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    3.5A
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2W
    N and P-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 2.2A, 10V
    1V @ 250μA
    190pF @ 15V
    14nC @ 10V
    14ns
    -
    -
    -
    3.5A
    20V
    -
    30V
    1 V
    -
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    12 Weeks
    HEXFET®
    100mOhm
    2W
    IRF9952PBF
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    1V
    16A
    44 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
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