ON Semiconductor NTMS3P03R2G

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.34A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

730mW Ta

Turn Off Delay Time

45 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

-30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

-3.05A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

85m Ω @ 3.05A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

750pF @ 24V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

上升时间

16ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

45 ns

连续放电电流(ID)

3.05A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.34A

漏源击穿电压

-30V

栅源电压

-1.7 V

反馈上限-最大值 (Crss)

135 pF

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅