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首页 全部分类 NTMS4700NR2G vs BSO119N03S

NTMS4700NR2G备选型号: BSO119N03S

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 终端
  • 电阻
  • 附加功能
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTMS4700NR2G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    8.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    30V
    DUAL
    鸥翼
    260
    unknown
    14.5A
    40
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.56W
    N-Channel
    SWITCHING
    7.2m Ω @ 13A, 10V
    3V @ 250μA
    1600pF @ 24V
    24nC @ 4.5V
    5ns
    ±20V
    5 ns
    8.6A
    20V
    0.01Ohm
    30V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSO119N03S
    Infineon Technologies
    MOSFET, N, 30V, SO-8
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    哑光锡
    30V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -
    9A
    40
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.56W
    N-Channel
    SWITCHING
    11.9m Ω @ 11A, 10V
    2V @ 25μA
    1730pF @ 15V
    13nC @ 5V
    3.8ns
    ±20V
    3.8 ns
    9A
    20V
    -
    30V
    符合RoHS标准
    无铅
    OptiMOS™
    SMD/SMT
    16.3mOhm
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    1.6V
    MS-012AA
    9A
    30V
    1.6 V
    93 pF
    无SVHC
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