注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.195869
10
¥9.618746
100
¥9.074291
500
¥8.560652
1000
¥8.07608
Infineon Technologies BSO083N03MSGXUMA1
- 收藏
- 对比
BSO083N03MSGXUMA1
1211-BSO083N03MSGXUMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
立即发货

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin DSO T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSO083N03MSGXUMA1详情
Infineon Technologies BSO083N03MSGXUMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.56W Ta
Turn Off Delay Time
11.5 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.56W
接通延迟时间
9.4 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.3m Ω @ 14A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2100pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
27nC @ 10V
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5.4 ns
连续放电电流(ID)
11A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
DS 击穿电压-最小值
30V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
BSO083N03MSGXUMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。