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首页 全部分类 NTMS5P02R2G vs NTMD6P02R2G

NTMS5P02R2G备选型号: NTMD6P02R2G

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  • 栅源电压
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  • 宽度
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  • 无铅
  • 触点镀层
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 输出的数量
  • 最大输出电流
  • 阈值电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • ON Semiconductor
    NTMS5P02R2G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    38 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    YES
    8
    SILICON
    3.95A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    26MOhm
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -5.4A
    40
    8
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    22 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    33m Ω @ 5.4A, 4.5V
    1.25V @ 250μA
    1900pF @ 16V
    35nC @ 4.5V
    25ns
    20V
    ±10V
    55 ns
    5.4A
    10V
    3.95A
    -20V
    -900 mV
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMD6P02R2G
    ON Semiconductor
    MOSFET 20V 6A P-Channel
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    29 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    YES
    8
    SILICON
    4.8A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    33mOhm
    -
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    -20V
    -
    鸥翼
    260
    -6A
    40
    8
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    -
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    33m Ω @ 6.2A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1700pF @ 16V
    35nC @ 4.5V
    20ns
    20V
    -
    50 ns
    7.8A
    12V
    -
    -20V
    -
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    750mW
    NTMD6P02
    1
    6A
    -880mV
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    450 pF
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SI9424DY SI9424DY ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC 对比