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首页 全部分类 NTMSD2P102LR2G vs NDS9933A

NTMSD2P102LR2G备选型号: NDS9933A

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  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最大功率耗散
  • ON Semiconductor
    NTMSD2P102LR2G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    SILICON
    2.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    FETKY™
    2006
    e3
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -2.3A
    40
    8
    R-PDSO-G8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2W
    P-Channel
    SWITCHING
    90m Ω @ 2.4A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    750pF @ 16V
    18nC @ 4.5V
    35ns
    20V
    ±10V
    29 ns
    2.3A
    10V
    0.09Ohm
    -20V
    Schottky Diode (Isolated)
    175 pF
    符合RoHS标准
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    NDS9933A
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    31 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -20V
    -
    -
    -
    -2.8A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2W
    2 P-Channel (Dual)
    -
    140m Ω @ 2.8A, 4.5V
    1V @ 250μA
    405pF @ 10V
    8.5nC @ 4.5V
    20ns
    20V
    -
    21 ns
    2.8A
    8V
    -
    -20V
    逻辑电平门
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    900mW
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