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首页 全部分类 NTMSD2P102R2 vs DMS2085LSD-13

NTMSD2P102R2备选型号: DMS2085LSD-13

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 质量
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • ON Semiconductor
    NTMSD2P102R2
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    2.3A Ta
    Tape & Reel (TR)
    2009
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    -20V
    710mW
    -2.3A
    P-Channel
    90m Ω @ 2.4A, 4.5V
    750pF @ 16V
    18nC @ 4.5V
    20V
    2.3A
    Schottky Diode (Isolated)
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMS2085LSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-Ch Enh Fet w/Int Schottky -20Vbr 20Vr
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    3.3A Ta
    Tape & Reel (TR)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    P-Channel
    85m Ω @ 3.05A, 10V
    353pF @ 15V
    7.8nC @ 10V
    -
    3.3A
    Schottky Diode (Isolated)
    ROHS3 Compliant
    -
    8
    73.992255mg
    -55°C~150°C TJ
    e3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    1
    Single
    3.3 ns
    2.2V @ 250μA
    3ns
    ±20V
    6.8 ns
    20V
    20V
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