您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 NTMSD2P102R2SG vs IRF7317TRPBF

NTMSD2P102R2SG备选型号: IRF7317TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTMSD2P102R2SG
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    2.3A Ta
    Tape & Reel (TR)
    2007
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    -20V
    710mW
    -2.3A
    P-Channel
    90m Ω @ 2.4A, 4.5V
    750pF @ 16V
    18nC @ 4.5V
    20V
    2.3A
    Schottky Diode (Isolated)
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7317TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    6.6A 5.3A
    Tape & Reel (TR)
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    2W
    6.6A
    N and P-Channel
    29m Ω @ 6A, 4.5V
    900pF @ 15V
    27nC @ 4.5V
    -
    6.6A
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    HEXFET®
    e3
    8
    EAR99
    29mOhm
    Matte Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    DUAL
    鸥翼
    IRF7317PBF
    增强型MOSFET
    2W
    SWITCHING
    700mV @ 250μA
    40ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    49 ns
    700mV
    12V
    20V
    100 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    700 mV
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDS9926A FDS9926A ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) ON SEMICONDUCTOR - FDS9926A - Dual MOSFET, Dual N Channel, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V 对比
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 对比
NTMSD3P102R2 NTMSD3P102R2 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC 对比