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首页 全部分类 NTMSD2P102R2SG vs NTMSD3P102R2

NTMSD2P102R2SG备选型号: NTMSD3P102R2

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  • 额定电流
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  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • ON Semiconductor
    NTMSD2P102R2SG
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    2.3A Ta
    Tape & Reel (TR)
    2007
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    -20V
    710mW
    -2.3A
    P-Channel
    90m Ω @ 2.4A, 4.5V
    750pF @ 16V
    18nC @ 4.5V
    20V
    2.3A
    Schottky Diode (Isolated)
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMSD3P102R2
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    2.34A Ta
    Tape & Reel (TR)
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -20V
    -
    -3.05A
    P-Channel
    85m Ω @ 3.05A, 10V
    750pF @ 16V
    25nC @ 10V
    -
    2.34A
    Schottky Diode (Isolated)
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    FETKY™
    e0
    8
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    DUAL
    鸥翼
    240
    not_compliant
    30
    8
    R-PDSO-G8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2W
    SWITCHING
    2.5V @ 250μA
    16ns
    ±20V
    45 ns
    20V
    0.085Ohm
    -20V
    135 pF
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